Wp/mag/प्रतिरोधकता

कौनो पदार्थके वैद्युत प्रतिरोधकता (Electrical resistivity; या resistivity, specific electrical resistance, या volume resistivity) से ऊ पदार्थ द्वारा विद्युत धाराके प्रवाहके विरोध करेके क्षमताके पता चलहे । कम प्रतिरोधकता वाला पदार्थ आसानीसे विद्युत आवेशके चले दे हे । एकर एसआइ इकाई ओम मीटर [Ω m] हे ।

परिभाषा

परिभाषा - कौनो विलयनमे दु इलेक्ट् धारा प्रवाहित करेपर प्रतिरोध, धात्विक चालकके लम्बाईके समान एवं बीचके वैद्युत प्रतिरोधकता ρ (यूनानी : rho / रो ) निम्न प्रकारसे परिभाषित हे -

ρ = \frac{E}{J}

जन्ने

ρ स्थिर प्रतिरोधकता है (Ω-m में)

E विद्युत क्षेत्र, V/m में

J धारा घनत्व, A/m² में।

अधिकांश प्रतिरोधके अनुप्रस्थ दिशामे क्षेत्रफल एकसमान होवहे आउ ऊ एके पदार्थके बनल होवहे । ऐसन स्थितिमे ρ के उपरोक्त परिभाषा निम्न प्रकार हो जा हे -

ρ = R \frac{A}{ℓ},

जन्ने

R विद्युत प्रतिरोध ओम (Ω) मे

$ℓ$ पदार्थके टुकड़ाके धाराके दिशामे लम्बाई; मीटरमे

A धाराके दिशाके लम्बवत पदार्थके क्षेत्रफल, m² मे ।

प्रतिरोधकताके चालकता (σ) के व्युत्क्रमके रूपोमे परिभाषित कैल जा हे । अर्थात्

ρ = \frac{1}{σ}

कुछ पदार्थके प्रतिरोधकता

ई सारणीमे पदार्थके प्रतिरोधकताके ताप गुणाङ्क (temperature coefficient of resistivity) 20 °C पर देल गेल हे ।

पदार्थ	प्रतिरोधकता [Ω·m] 20 °C पर	ताप गुणाङ्क [K⁻¹]	सन्दर्भ
चान्दी	1.59×10⁻⁸	0.0038	^[1]^[2]
ताम्र	1.68×10⁻⁸	0.0039	^[2]
स्वर्ण	2.44×10⁻⁸	0.0034	^[1]
अलुमिनियम	2.82×10⁻⁸	0.0039	^[1]
कैल्सियम	3.36x10⁻⁸	0.0041
टङ्ग्स्टन	5.60×10⁻⁸	0.0045	^[1]
जस्ता	5.90×10⁻⁸	0.0037	^[3]
निकेल	6.99×10⁻⁸	0.006
लोहा	1.0×10⁻⁷	0.005	^[1]
प्लेटिनम	1.06×10⁻⁷	0.00392	^[1]
टिन	1.09×10⁻⁷	0.0045
सीसा (लेड)\|2.2×10⁻⁷	0.0039	^[1]
टाइटेनियम	4.20x10⁻⁷	X
मैङ्गनिन	4.82×10⁻⁷	0.000002	^[4]
कान्स्टैण्टन	4.9×10⁻⁷	0.000008	^[5]
पारा	9.8×10⁻⁷	0.0009	^[4]
नाइक्रोम^[6]	1.10×10⁻⁶	0.0004	^[1]
कार्बन (amorphous)	5-8×10⁻⁴	−0.0005	^[1]^[7]
ग्रेफाइट^[8]	2.5-5.0×10⁻⁶ ⊥ basal plane 3.0×10⁻³ // basal plane		^[9]
हीरा^[10]	~10¹²		^[11]
जर्मेनियम^[10]	4.6×10⁻¹	−0.048	^[1]^[2]
समुद्र जल	2×10⁻¹	?
सिलिकन^[10]	6.40×10²	−0.075	^[1]
काच	10¹⁰ to 10¹⁴	?	^[1]^[2]
रबड़ (Hard)	approx. 10¹³	?	^[1]
गन्धक	10¹⁵	?	^[1]
पैराफिन	10¹⁷	?
क्वार्ट्ज (फ्यूज्ड)	7.5×10¹⁷	?	^[1]
PET	10²⁰	?
टेफ्लन	10²² to 10²⁴	?

इहो देखी

सन्दर्भ

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 Serway, Raymond A. (1998). Principles of Physics (2nd ed संस्करण). Fort Worth, Texas; London: Saunders College Pub. प॰ 602. आई॰ऍस॰बी॰एन॰ 0-03-020457-7.Wp/mag/सीएस१ रखरखाव: फालतू पाठ (link)
1 2 3 4 Griffiths, David (1999) [1981]. "7. Electrodynamics". प्रकाशित Alison Reeves (ed.) (सम्पा॰). Introduction to Electrodynamics (3rd edition संस्करण). Upper Saddle River, New Jersey: प्रेन्टिस हॉल. प॰ 286. OCLC 40251748. आई॰ऍस॰बी॰एन॰ 0-13-805326-x |isbn= के मानके जाँच करी: invalid character (सहायता). अभिगमन तिथि 2006-01-29.Wp/mag/सीएस१ रखरखाव: फालतू पाठ: editors list (link) Wp/mag/सीएस१ रखरखाव: फालतू पाठ (link)
↑ http://physics.mipt.ru/S_III/t
Archived 2011-11-23 at the वेबैक मशीन (PDF format; see page 2, table in the right lower corner)
1 2 Giancoli, Douglas C. (1995). Physics: Principles with Applications (4th ed संस्करण). London: Prentice Hall. आई॰ऍस॰बी॰एन॰ 0-13-102153-2.Wp/mag/सीएस१ रखरखाव: फालतू पाठ (link)
(see also Table of Resistivity
Archived 2011-06-04 at the वेबैक मशीन )
↑ John O'Malley, Schaum's outline of theory and problems of basic circuit analysis, p.19, McGraw-Hill Professional, 1992 ISBN 0-07-047824-4
↑ Ni,Fe,Cr alloy commonly used in heating elements.
↑ Y. Pauleau, Péter B. Barna, P. B. Barna, Protective coatings and thin films: synthesis, characterization, and applications, p.215, Springer, 1997 ISBN 0-7923-4380-8.
↑ Graphite is strongly anisotropic
↑ Hugh O. Pierson, Handbook of carbon, graphite, diamond, and fullerenes: properties, processing, and applications, p.61, William Andrew, 1993 ISBN 0-8155-1339-9.
1 2 3 The resistivity of semiconductors depends strongly on the presence of impurities in the material.
↑ Lawrence S. Pan, Don R. Kania, Diamond: electronic properties and applications, p.140, Springer, 1994 ISBN 0-7923-9524-7.

बाहरी कड़ी

[serway-1] 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 Serway, Raymond A. (1998). Principles of Physics (2nd ed संस्करण). Fort Worth, Texas; London: Saunders College Pub. प॰ 602. आई॰ऍस॰बी॰एन॰ 0-03-020457-7.Wp/mag/सीएस१ रखरखाव: फालतू पाठ (link)

[Griffiths-2] 1 2 3 4 Griffiths, David (1999) [1981]. "7. Electrodynamics". प्रकाशित Alison Reeves (ed.) (सम्पा॰). Introduction to Electrodynamics (3rd edition संस्करण). Upper Saddle River, New Jersey: प्रेन्टिस हॉल. प॰ 286. OCLC 40251748. आई॰ऍस॰बी॰एन॰ 0-13-805326-x |isbn= के मानके जाँच करी: invalid character (सहायता). अभिगमन तिथि 2006-01-29.Wp/mag/सीएस१ रखरखाव: फालतू पाठ: editors list (link) Wp/mag/सीएस१ रखरखाव: फालतू पाठ (link)

[3] ttp://physics.mipt.ru/S_III/t
Archived 2011-11-23 at the वेबैक मशीन (PDF format; see page 2, table in the right lower corner)

[giancoli-4] 1 2 Giancoli, Douglas C. (1995). Physics: Principles with Applications (4th ed संस्करण). London: Prentice Hall. आई॰ऍस॰बी॰एन॰ 0-13-102153-2.Wp/mag/सीएस१ रखरखाव: फालतू पाठ (link)
(see also Table of Resistivity
Archived 2011-06-04 at the वेबैक मशीन )

[5] John O'Malley, Schaum's outline of theory and problems of basic circuit analysis, p.19, McGraw-Hill Professional, 1992 ISBN 0-07-047824-4

[6] Ni,Fe,Cr alloy commonly used in heating elements.

[7] Y. Pauleau, Péter B. Barna, P. B. Barna, Protective coatings and thin films: synthesis, characterization, and applications, p.215, Springer, 1997 ISBN 0-7923-4380-8.

[8] Graphite is strongly anisotropic

[9] Hugh O. Pierson, Handbook of carbon, graphite, diamond, and fullerenes: properties, processing, and applications, p.61, William Andrew, 1993 ISBN 0-8155-1339-9.

[semi-10] 1 2 3 The resistivity of semiconductors depends strongly on the presence of impurities in the material.

[11] Lawrence S. Pan, Don R. Kania, Diamond: electronic properties and applications, p.140, Springer, 1994 ISBN 0-7923-9524-7.

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